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RM10N100LD中文资料丽正国际数据手册PDF规格书

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厂商型号

RM10N100LD

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

丝印标识

10N100

封装外壳

TO-252-2L

文件大小

418.13 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

RECTRON

中文名称

丽正国际

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数据手册

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更新时间

2026-1-25 22:30:00

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RM10N100LD规格书详情

General Features

Vos =100Vl0 =10A

Rosin) < 130mQ @ Ves=10V _ (Typ:95m@)

Rosin) < 140mQ @ Vos=4.5V (Typ:100me))

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stabiity and uniformity with high Exs.

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capabilty

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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24+
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6000
全新原装正品现货 假一赔佰
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