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RM100N60DFV	文件：224.17 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AN60；Package：DFN5X6-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description TheRM100N60DFVusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeature VDS=65V,ID=95A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM100N60HD	文件：493.23 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheRM100N60HDusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeature VDS=60V,ID=100A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM100N60LD	文件：384.16 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheRM100N60LDusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It canbeusedinawidevarietyofapplications. GeneralFeatures VDS=65V,ID=100A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SIHA100N60E	文件：156.1 Kbytes Page：8 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHB100N60E	文件：198.64 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHG100N60E	文件：197.62 Kbytes Page：11 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH100N60E	文件：196.97 Kbytes Page：10 Pages	ESeriesPowerMOSFET FEATURES •4thgenerationEseriestechnology •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Loweffectivecapacitance(Co(er)) •Reducedswitchingandconductionlosses •Avalancheenergyrated(UIS) •Kelvinconnectionforreducedgatenoise •Materialcategorization:fordefinitionsofcomplianc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP100N60E	文件：155.76 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多RM100N60DFV供应商更新时间2025-5-28 14:01:00

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