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RM100N60LD	文件：384.16 Kbytes Page：7 Pages	丝印：100N06；Package：TO-252-2L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The RM100N60LD uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =65V,ID =100A RDS(ON) 文件：384.16 Kbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RM100N60LD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
SIHA100N60E	文件：156.1 Kbytes Page：8 Pages	E Series Power MOSFET 文件：156.1 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SIHB100N60E	文件：198.64 Kbytes Page：10 Pages	E Series Power MOSFET 文件：198.64 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
SIHG100N60E	文件：197.62 Kbytes Page：11 Pages	E Series Power MOSFET 文件：197.62 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

更多RM100N60LD供应商更新时间2025-10-10 14:00:00