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RJP65T54DPM-E0中文资料Partial switching circuit数据手册Renesas规格书

厂商型号 |
RJP65T54DPM-E0 |
参数属性 | RJP65T54DPM-E0 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH TO-3FP |
功能描述 | Partial switching circuit |
封装外壳 | TO-3PFM,SC-93-3 |
制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 17:02:00 |
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技术参数
- 产品编号:
RJP65T54DPM-E0#T2
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
1.68V @ 15V,30A
- 开关能量:
330µJ(开),760µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
35ns/120ns
- 测试条件:
400V,30A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-3PFM,SC-93-3
- 供应商器件封装:
TO-3PF
- 描述:
IGBT TRENCH TO-3FP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
ROHS |
880000 |
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询价 | ||
BOURNS |
23+ |
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3M |
新 |
48 |
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SHARP |
24+ |
QFP-44P |
700 |
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FCI |
2447 |
RJ45 |
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Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
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询价 | ||
BOURNS/伯恩斯 |
2223+ |
SMD |
26800 |
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BOURNS |
25+ |
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667 |
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RENENSAS |
25+ |
DIP |
1000 |
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