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厂商型号

RJP65T54DPM-E0

参数属性

RJP65T54DPM-E0 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT TRENCH TO-3FP

功能描述

Partial switching circuit

封装外壳

TO-3PFM,SC-93-3

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 17:02:00

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RJP65T54DPM-E0价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 产品编号:

    RJP65T54DPM-E0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.68V @ 15V,30A

  • 开关能量:

    330µJ(开),760µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    35ns/120ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3PFM,SC-93-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT TRENCH TO-3FP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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