RJP63K2中文资料Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
RJP63K2规格书详情
描述 Description
1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ
3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.
4. Low leak current: ICES= 1 A max
5. Isolated package TO-220FL
技术参数
- 型号：
RJP63K2
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
24+ |
标准封装 |
7328 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
174 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-263 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-220 |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
14+ |
TO220 |
1385 |
询价 | |||
RENESAS |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS |
18+ |
TO-220F |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
SOT-263 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 |
