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厂商型号

RJP63K2

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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RJP63K2规格书详情

描述 Description

1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ
3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.
4. Low leak current: ICES= 1 A max
5. Isolated package TO-220FL

技术参数

  • 型号:

    RJP63K2

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7328
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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