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RJP63K2	文件：151.02 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching 1.Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) 2.Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp 3.Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. 4.Lowleakcurrent:ICES=1Amax 5.IsolatedpackageTO-220FL	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP63K2DPK-M0	文件：160.93 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High speed power switching Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. Lowleakcurrent:ICES=1Amax	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

1.Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) 2.Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp 3.Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. 4.Lowleakcurrent:ICES=1Amax 5.IsolatedpackageTO-220FL

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*Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) *Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.9Vtyp *Highspeedswitching:tr=60nstyp,tf=200nstyp. *Lowleakcurrent:ICES=1Amax

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详细参数

型号：
RJP63K2
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching

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