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RJP63K2DPK规格书详情
描述 Description
* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ
* High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.
* Low leak current: ICES= 1 A max
技术参数
- 型号:
RJP63K2DPK
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全称:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3970 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
PBFREE |
880000 |
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RENESAS |
18+ |
TO-220 |
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Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
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RENESAS |
NA |
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RENESAS |
25+ |
TO-3P |
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RENESAS |
24+ |
TO-220 |
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RENESAS |
24+ |
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全新原装正品,现货销售 |
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RENESAS/瑞萨 |
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TO-3P |
25000 |
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