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RJP63K2DPK中文资料N-Channel IGBT数据手册Renesas规格书
RJP63K2DPK规格书详情
描述 Description
* Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)
* Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ
* High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.
* Low leak current: ICES= 1 A max
技术参数
- 型号：
RJP63K2DPK
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel IGBT High speed power switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
3970 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
PBFREE |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-3P |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
Renesas(瑞萨) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ADI |
23+ |
TO-3P |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
TO-220 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
RENESAS |
18+ |
TO-220 |
140 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS |
2023+ |
TO-220 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 |
