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RJK6009DPP	文件：75.41 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：75.41 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6009DPP-00-T2	文件：75.41 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance • Low leakage current • High speed switching 文件：75.41 Kbytes 页数：4 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6009DPP-M0	文件：1.58216 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.58216 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RJK6009DPP	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching • Low on-resistance\n• Low leakage current\n• High speed switching;	Renesas 瑞萨	Renesas
RJK6009DPP-M0	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

封装类型：
TO-220FL(DG)
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
600
ID (A)：
18
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
480
Ciss (pF) 典型值：
2100
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
40
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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