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RJK6009DPP-M0	文件：1.58216 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.58216 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RJK6009DPP-M0	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas
RJMG212K21225CR	文件：0 bytes Page：0 Pages	RJMG212K21225CR RJ	RJMG212K21225CR 上传：深圳市中利达电子科技有限公司	RJMG212K21225CR
RJMG212K21225CR	文件：0 bytes Page：0 Pages	AMPHENOL RJ	AMPHENOL 安费诺上传：深圳市中利达电子科技有限公司	AMPHENOL
RJP30E2DPP	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS PBFREE	RENESAS 瑞萨上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	RENESAS

技术参数

封装类型：
TO-220FL(DG)
Nch/Pch：
Nch
通道数：
Single
VDSS (V) 最大值：
600
ID (A)：
18
RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V：
480
Ciss (pF) 典型值：
2100
Vgs (off) (V) 最大值：
4.5
VGSS (V)：
30
Pch (W)：
40
应用：
Industrial
安装类型：
Through Hole

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