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RJK1055DPB	文件：155.02 Kbytes Page：7 Pages	100V, 23A, 17m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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RZ1055	文件：27.09 Kbytes Page：1 Pages	AvalancheDiodeswithbuilt-inThyristor AvalancheDiodeswithbuilt-inThyristor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
RZ1055	文件：19.93 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheDiodeswithbuilt-inThyristor AvalancheDiodeswithbuilt-inThyristor	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
RZ1055	文件：27.09 Kbytes Page：1 Pages	AvalancheDiodeswithbuilt-inThyristor AvalancheDiodeswithbuilt-inThyristor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S1055M	文件：1.2956 Mbytes Page：2 Pages	ElectricalSpecifications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
S1055R	文件：1.2956 Mbytes Page：2 Pages	ElectricalSpecifications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
S1055W	文件：1.60012 Mbytes Page：12 Pages	SCRs1-70AMPSNON-SENSITIVEGATE Features ●ElectricallyIsolatedPackages ●HighVoltageCapability-30-600Volts ●HighSurgeCapability-upto950Amps ●GlassPassivatedChip	Teccor Teccor Electronics	Teccor
S1055W	文件：1.2956 Mbytes Page：2 Pages	ElectricalSpecifications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
RJK1055DPB
制造商：
Renesas Electronics Corporation
功能描述：
MOSFET.N CH100V23ALFPAK
功能描述：
MOSFET.N CH,100V,23A,LFPAK
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 23A, LFPAK-5; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
23A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
0.013ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Power Dissipation
Pd：
60W; No. of
Pins：
5 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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