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RJK2017DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.036 Ω typ. (at ID = 22.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C) • Low leakage current • High speed switching

文件:114.4 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR
RJ

RJMG212K21225CR

RJMG212K21225CR

AMPHENOL
RJ

RJP30E2DPP

RENESAS
PBFREE

RJP4003ANS-00#Q1

Renesas
-

详细参数

  • 型号:

    RJK2017DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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