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RJK1535DPE

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 40A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 52mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:326.05 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RJK1535DPE

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:98.06 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK1535DPE

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:107.42 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK1535DPE-LE

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK1535DPE-LE

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

RJK1535DPE

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    LDPAK(S)-(1)/TO-263

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    150

  • ID (A):

    40

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    52

  • Ciss (pF) 典型值:

    1420

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4.5

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    100

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Surface Mount

  • QG (nC) 典型值:

    35

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-252AA
69820
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RENESAS/瑞萨
2022+
TO-263
50000
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RENESAS/瑞萨
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TO-263
100000
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RENESAS/瑞萨
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TO-263
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当天发货全新原装现货
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NK/南科功率
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TO-263
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RENESAS
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TO263/2.5
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更多RJK1535DPE供应商 更新时间2026-2-4 13:42:00