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RJH65D27BDPQ-A0

650V - 50A - IGBT

文件:588.89 Kbytes 页数:11 Pages

RENESAS

瑞萨

RJH65D27BDPQ-A0

IGBTs

Renesas

瑞萨

RJH65D27BDPQ-A0#T0

包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

RJH65D27BDPQ-A0#T2

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

技术参数

  • 封装类型:

    TO-247A

  • 通道数:

    Single

  • 配置[器件]:

    Built-In FRD

  • 逆变器:

    YES

  • VCES (V):

    650

  • IC (A) @25 °C:

    100

  • IC (A) @100 °C:

    50

  • VCE (sat)(V):

    1.3

  • tf (µs) 典型值:

    0.12

  • tsc (µs):

    3

  • FRD Vf (V):

    1.7

  • FRD trr (ns):

    80

  • Pch (W):

    375

  • 应用:

    Inverter

  • 安装类型:

    Through Hole

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更多RJH65D27BDPQ-A0供应商 更新时间2025-10-6 11:00:00