RJH65D27BDPQ-A0#T2_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-瑞萨

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厂家型号：
RJH65D27BDPQ-A0#T2
制造商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-24 14:45:00

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原厂料号：RJH65D27BDPQ-A0#T2品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

RJH65D27BDPQ-A0#T2是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商RENESAS/瑞萨生产封装TO-247-3的RJH65D27BDPQ-A0#T2晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
rjh65d27bdpq-a0%23t2
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Electronics America
中文名称：
瑞萨科技有限公司
资料说明：
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

产品属性

类型
描述
产品编号：
RJH65D27BDPQ-A0#T2
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.65V @ 15V，50A
开关能量：
1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/165ns
测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247A
描述：
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A

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RJH65D27BDPQ-A0#T2_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-瑞萨

RJH65D27BDPQ-A0#T2

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