RJH65T04BDPMA0#T2F_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-瑞萨

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1+	¥56.90000

厂家型号：
RJH65T04BDPMA0#T2F
制造商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
SC-94
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-6-7 14:17:00

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原厂料号：RJH65T04BDPMA0#T2F品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

RJH65T04BDPMA0#T2F是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商RENESAS/瑞萨生产封装SC-94的RJH65T04BDPMA0#T2F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
rjh65t04bdpma0%23t2f
规格书：
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企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Electronics America
中文名称：
瑞萨科技有限公司
资料说明：
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

产品属性

类型
描述
产品编号：
RJH65T04BDPMA0#T2F
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.95V @ 15V，30A
开关能量：
360µJ（开），350µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
35ns/125ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
SC-94
供应商器件封装：
TO-3PFP
描述：
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP

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RJH65T04BDPMA0#T2F_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-瑞萨

RJH65T04BDPMA0#T2F

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