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RJH65D27BDPQ-A0分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
RJH65D27BDPQ-A0 |
| 参数属性 | RJH65D27BDPQ-A0 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT TRENCH 650V 100A TO247A |
| 功能描述 | 650V - 50A - IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
588.89 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | Renesas Technology Corp |
| 企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
| 中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-28 16:48:00 |
| 人工找货 | RJH65D27BDPQ-A0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
RJH65D27BDPQ-A0#T2
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.65V @ 15V，50A
- 开关能量：
1mJ（开），1.5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/165ns
- 测试条件：
400V，50A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247A
- 描述：
IGBT TRENCH 650V 100A TO247A
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas(瑞萨) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-247 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
TO-247 |
5000 |
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RENESAS |
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TO-3P |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247 |
20000 |
询价 | |||
Renesas |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | |||
Renesas Electronics |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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Renesas Electronics America In |
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TO-247-3 |
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RENESAS/瑞萨 |
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