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RJH60D6DPK分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RJH60D6DPK
厂商型号

RJH60D6DPK

参数属性

RJH60D6DPK 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A 260W TO3P

功能描述

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

171.49 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-18 20:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    RJH60D6DPK-00#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    850µJ(开),600µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    50ns/160ns

  • 测试条件:

    300V,40A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 260W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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