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RJH60D6DPK分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
厂商型号 |
RJH60D6DPK |
参数属性 | RJH60D6DPK 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 80A 260W TO3P |
功能描述 | Silicon N Channel IGBT Application: Inverter |
文件大小 |
171.49 Kbytes |
页面数量 |
4 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-6 22:59:00 |
RJH60D6DPK规格书详情
RJH60D6DPK属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。瑞萨科技有限公司制造生产的RJH60D6DPK晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
产品属性
- 产品编号:
RJH60D6DPK-00#T0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,40A
- 开关能量:
850µJ(开),600µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
50ns/160ns
- 测试条件:
300V,40A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-3P
- 描述:
IGBT 600V 80A 260W TO3P
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
3750 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
RENESAS |
2016+ |
TO-3P |
9000 |
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询价 | ||
RENESAS |
2016+ |
TO-3P |
6523 |
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询价 | ||
RENESAS |
TO-247 |
50000 |
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询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-247 |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
RENESAS |
2021+ |
TO-3P |
6157 |
百分百原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2022 |
TO-3P |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-3P |
40256 |
本公司只做原装进口现货 |
询价 | ||
Renesas |
23+ |
TO3P |
33500 |
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RENESAS |
21+ |
TO-3P |
35200 |
一级代理/放心采购 |
询价 |