RJ1P10BBH数据手册ROHM中文资料规格书
RJ1P10BBH规格书详情
描述 Description
RJ1P10BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
特性 Features
• Low on - resistance
• High power small mold package (TO263AB)
• Pb-free plating ; RoHS compliant
• 100% UIS tested
技术参数
- 制造商编号
：RJ1P10BBH
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-263AB-3LSHYAD
- 包装数量
：800
- 最小独立包装数量
：800
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：TO-263AB
- Applications
：Switching
- Number of terminal
：3
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：100
- Drain Current ID[A]
：170
- RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)
：0.0028
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0023
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0028
- Total gate charge Qg[nC]
：89
- Power Dissipation (PD)[W]
：189
- Drive Voltage[V]
：6
- Trr (Typ.)[ns]
：90
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：10.11×15.1 (t=4.77)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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