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RJ1P10BBH	文件：2.88501 Mbytes Page：13 Pages	丝印：RJ1P10BBH；Package：TO-263AB；Nch 100V 170A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO263AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：2.88501 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJ1P10BBH	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 100V 170A, TO-263AB, Power MOSFET RJ1P10BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching. • Low on - resistance\n• High power small mold package (TO263AB)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
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HM1P10MR	文件：763.3 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. 文件：763.3 Kbytes 页数：5 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
LMTL1P10	文件：4.60028 Mbytes Page：5 Pages	-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：4.60028 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH

技术参数

封装：
TO-263AB-3LSHYAD
包装数量：
800
最小独立包装数量：
800
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263AB
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
100
Drain Current ID[A]：
170
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.0028
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0023
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0028
Total gate charge Qg[nC]：
89
Power Dissipation (PD)[W]：
189
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
90
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.11×15.1 (t=4.77)

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更多RJ1P10BBH供应商更新时间2026-2-6 15:07:00

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