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RJ1N04BBH数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RJ1N04BBH

功能描述

Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-13 23:01:00

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RJ1N04BBH规格书详情

描述 Description

RJ1N04BBH is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.

特性 Features

• Low on - resistance
• High power mold package (TO263AB)
• Pb-free plating ; RoHS compliant
• Halogen Free
• 100% Rg and UIS tested

技术参数

  • 制造商编号

    :RJ1N04BBH

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-263AB-3LSHYAD

  • 包装形态

    :Taping

  • 包装数量

    :800

  • 最小独立包装数量

    :800

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :TO-263AB

  • Number of terminal

    :3

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :80

  • Drain Current ID[A]

    :100

  • RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)

    :0.0053

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

    :0.0044

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

    :0.0053

  • Total gate charge Qg[nC]

    :28

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :89

  • Drive Voltage[V]

    :6

  • Trr (Typ)[ns]

    :53

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min)[℃]

    :-55

  • Storage Temperature (Max)[℃]

    :150

  • Package Size [mm]

    :8.7×10.11 (t=4.77)

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