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RJ1L12DGN中文资料Nch 60V 120A Power MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RJ1L12DGN

功能描述

Nch 60V 120A Power MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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RJ1L12DGN规格书详情

描述 Description

RJ1L12DGN is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.

特性 Features

• Low on - resistance
• High power small mold package
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• UIS tested
• Halogen free

技术参数

  • 制造商编号

    :RJ1L12DGN

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :推荐品

  • 封装

    :TO-263AB (LPTL)

  • 包装数量

    :1000

  • 最小独立包装数量

    :1000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Code

    :TO-263AB

  • Package Size[mm]

    :10.1x15.1 (t=4.7)

  • Number of terminal

    :3

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :60

  • Drain Current ID[A]

    :120.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

    :0.0051

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.0039

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.0051

  • Total gate charge Qg[nC]

    :47.0

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :125.0

  • Drive Voltage[V]

    :4.5

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Bare Die Part Number

    :Available: K4823

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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