RJ1L12DGN中文资料Nch 60V 120A Power MOSFET数据手册ROHM规格书
RJ1L12DGN规格书详情
描述 Description
RJ1L12DGN is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
特性 Features
• Low on - resistance
• High power small mold package
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• UIS tested
• Halogen free
技术参数
- 制造商编号
:RJ1L12DGN
- 生产厂家
:ROHM
- Status
:推荐品
- 封装
:TO-263AB (LPTL)
- 包装数量
:1000
- 最小独立包装数量
:1000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Grade
:Standard
- Package Code
:TO-263AB
- Package Size[mm]
:10.1x15.1 (t=4.7)
- Number of terminal
:3
- Polarity
:Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:60
- Drain Current ID[A]
:120.0
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
:0.0051
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
:0.0039
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.0051
- Total gate charge Qg[nC]
:47.0
- Power Dissipation (PD)[W]
:125.0
- Drive Voltage[V]
:4.5
- Mounting Style
:Surface mount
- Bare Die Part Number
:Available: K4823
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IDEC(日本和泉) |
24+ |
插件,14x27.5mm |
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IDEC |
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IDEC |
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ROHM |
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9350 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
TO-263-2 |
986966 |
国产 |
询价 |