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RJ1L12DGN	文件：2.70721 Mbytes Page：15 Pages	丝印：RJ1L12DGN；Package：TO-263AB；Nch 60V 120A Power MOSFET 文件：2.70721 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RJ1L12DGN	文件：326.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.3mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：326.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RJ1L12DGN	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 120A Power MOSFET RJ1L12DGN is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application. • Low on - resistance\n• High power small mold package\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• UIS tested\n• Halogen free;	ROHM 罗姆	ROHM
RB1L12N	文件：954.66 Kbytes Page：1 Pages	Rotary Switches 文件：954.66 Kbytes 页数：1 Pages	GREATECS	GREATECS
RB1L12S	文件：954.66 Kbytes Page：1 Pages	Rotary Switches 文件：954.66 Kbytes 页数：1 Pages	GREATECS	GREATECS
RJ1L12BGN	文件：2.71421 Mbytes Page：15 Pages	Nch 60V 120A Power MOSFET 文件：2.71421 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
推荐品
封装：
TO-263AB (LPTL)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-263AB
Package Size[mm]：
10.1x15.1 (t=4.7)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
120.0
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0051
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0039
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0051
Total gate charge Qg[nC]：
47.0
Power Dissipation (PD)[W]：
125.0
Drive Voltage[V]：
4.5
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多RJ1L12DGN供应商更新时间2025-12-24 12:00:00

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