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MBR10120CT	文件：143.88 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes Features ●Highfrequencyoperation ●Lowforwardvoltagedrop ●Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance ●Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability ●Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106 TypicalAp	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
MBR10120CT	文件：1.08402 Mbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes FEATURES Highfrequencyoperation Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardringforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
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MRF10120	文件：98.04 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTOR TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=8.0dBMin.,9.2dB(Typ) •100Testedfor	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MRF10120	文件：128.12 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERTRANSISTORNPNSILICON TheRFLine MicrowaveLongPulsePowerTransistor Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •GuaranteedPerformance@1.215GHz,36Vdc OutputPower=120WattsPeak Gain=7.6dBMin.,8.5dB(Typ) •100Testedfo	MACOM Tyco Electronics	MACOM
MRF10120	文件：171.98 Kbytes Page：5 Pages	MicrowaveLongPulsePowerSiliconNPNTransistor120W(peak),960-1215MHz MicrowaveLongPulsePowerSiliconNPNTransistor120W(peak),960–1215MHz Designedfor960–1215MHzlongpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasJTIDSandModeStransmitters. •Guaranteedperformance@1.215GHz,36Vdc Outputpower=120WPeak Gain=7.6dBmin.,8.5dB(ty	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
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更多RHRP10120供应商更新时间2024-6-15 17:09:00

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