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RGW80TS65中文资料超高速开关型, 650V 40A, TO-247N,沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGW80TS65

参数属性

RGW80TS65 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

超高速开关型, 650V 40A, TO-247N,沟槽式场截止型 IGBT
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

封装外壳

TO-247-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-10-2 17:30:00

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RGW80TS65规格书详情

描述 Description

RGW80TS65是以高速开关为特点的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• High Speed Switching
• Low Switching Loss & Soft Switching
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGW80TS65属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGW80TS65晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RGW80TS65

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-247N

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :30

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :W: High speed fast SW

  • VCES [V]

    :650

  • IC(100°C)[A]

    :40

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.5

  • tf(Typ.) [ns]

    :34

  • BVCES (Min.)[V]

    :650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x21 (t=5.2)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
19+
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