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RGTV80TS65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
RGTV80TS65D |
| 参数属性 | RGTV80TS65D 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| 功能描述 | 短路耐量 2µs, 650V 40A,内置快速反向恢复二极管, TO-247N,沟槽式场截止型 IGBT |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:00:00 |
| 人工找货 | RGTV80TS65D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
RGTV80TS65D规格书详情
描述 Description
RGTV80TS65D是低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。RGTV系列的短路耐量为2μs (Min)，同时还具有开关损耗小，开关速度快的特点。
特性 Features
• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• High Speed Switching & Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 2μs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
技术参数
- 制造商编号
：RGTV80TS65D
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247N
- 包装数量
：450
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Series
：TV: For inverter (tsc 2µs)
- VCES [V]
：650
- IC(100°C)[A]
：40
- VCE(sat) (Typ.) [V]
：1.5
- tf(Typ.) [ns]
：45
- tsc(Min.) [us]
：2
- Built-in Diode
：FRD
- BVCES (Min.)[V]
：650
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：16x21 (t=5.2)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | |||
ROHM只做原装 |
22+ |
TO-247-3 |
5000 |
22+ |
询价 | ||
LELON |
22+ |
22X40 |
70729 |
绝对原装正品现货,支持开13个点税 |
询价 | ||
ROHM |
24+ |
TO-247 |
10000 |
市场最低 原装现货 假一罚百 可开原型号 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
22+ |
TO-247 |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
SUSUMU/进工业 |
2447 |
1210 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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罗姆 |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
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VITROHM |
23+ |
11200 |
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询价 | |||
24+ |
N/A |
60000 |
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询价 |
