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RGTV60TK65数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

RGTV60TK65

参数属性

RGTV60TK65 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

短路耐量 2µs, 650V 30A, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT

封装外壳

TO-3PFM,SC-93-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-14 23:01:00

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RGTV60TK65规格书详情

描述 Description

RGTV60TK65是低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• High Speed Switching & Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 2μs
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :RGTV60TK65

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-3PFM

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :30

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :TV: For inverter (tsc 2µs)

  • VCES [V]

    :650

  • IC(100°C)[A]

    :20

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.5

  • tf(Typ.) [ns]

    :40

  • tsc(Min.) [us]

    :2

  • BVCES (Min.)[V]

    :650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x21 (t=5.2)

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