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RGTH60TK65D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

RGTH60TK65D

参数属性

RGTH60TK65D 封装/外壳为TO-3PFM,SC-93-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT

功能描述

高速开关型, 650V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT

封装外壳

TO-3PFM,SC-93-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

原厂标识
ROHM
数据手册

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更新时间

2025-8-4 15:37:00

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RGTH60TK65D规格书详情

描述 Description

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• High Speed Switching
• Low Switching Loss & Soft Switching
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :RGTH60TK65D

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-3PFM

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :450

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :TH: High speed SW

  • VCES [V]

    :650

  • IC(100°C)[A]

    :17

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.6

  • tf(Typ.) [ns]

    :47

  • Built-in Diode

    :FRD

  • Pd [W]

    :61

  • BVCES (Min.)[V]

    :650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x21 (t=5.2)

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