RGTV00TK65D中文资料短路耐量 2µs, 650V 50A,内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT数据手册ROHM规格书

描述 Description

RGTV00TK65D是低VCE(sat)、低开关损耗的IGBT。适合PFC、太阳能变频器、UPS、焊接、IH等用途。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• High Speed Switching & Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 2μs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGTV00TK65D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGTV00TK65D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。