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RGT80TS65D	文件：300 bytes Page：1 Pages	短路耐量 5µs, 650V 40A,内置快速反向恢复二极管, TO-247GE, 沟槽式场截止型 IGBT 罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n2) Low Switching Loss\n3) Short Circuit Withstand Time 5us\n4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
RGT80TS65D	文件：733.94 Kbytes Page：12 Pages	650V 40A Field Stop Trench IGBT 文件：733.94 Kbytes 页数：12 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGT80TS65DGC13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650	ROHM 罗姆	ROHM
RGTH80TS65	文件：1.00745 Mbytes Page：11 Pages	650V 40A Field Stop Trench IGBT 文件：1.00745 Mbytes 页数：11 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGTH80TS65D	文件：1.29275 Mbytes Page：13 Pages	650V 40A Field Stop Trench IGBT 文件：1.29275 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RGTV80TS65	文件：974.45 Kbytes Page：10 Pages	650V 40A Field Stop Trench IGBT Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) High Speed Switching & Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 2μs 4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Application Solar Inverter UPS Welding IH PFC 文件：974.45 Kbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TO-247GE
包装数量：
600
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Series：
T
VCES [V]：
650
IC(100°C)[A]：
40
VCE(sat) (Typ.) [V]：
1.65
tf(Typ.) [ns]：
55
tsc(Min.) [us]：
5
Built-in Diode：
FRD
Pd [W]：
234
BVCES (Min.)[V]：
650
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
15.94x20.95 (t=5.02)

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