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RGTH80TS65D

高速开关型, 650V 40A, 内置快速反向恢复二极管, TO-247N,沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage\n2) High Speed Switching\n3) Low Switching Loss & Soft Switching\n4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)\n5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant;

ROHM

罗姆

RGTH80TS65D

650V 40A Field Stop Trench IGBT

文件:1.29275 Mbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

RGTH80TS65DGC11

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 650V 70A 234W TO-247N

ROHM

罗姆

RGTH80TS65DGC13

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-247GE

  • 包装数量:

    600

  • 最小独立包装数量:

    30

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Series:

    TH

  • VCES [V]:

    650

  • IC(100°C)[A]:

    40

  • VCE(sat) (Typ.) [V]:

    1.6

  • tf(Typ.) [ns]:

    47

  • Built-in Diode:

    FRD

  • Pd [W]:

    234

  • BVCES (Min.)[V]:

    650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

  • Package Size [mm]:

    15.94x20.95 (t=5.02)

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更多RGTH80TS65D供应商 更新时间2026-1-31 16:29:00