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RGPZ10BM40FH中文资料430V 20A, TO-252, 车载用点火系统IGBT数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGPZ10BM40FH

参数属性

RGPZ10BM40FH 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT

功能描述

430V 20A, TO-252, 车载用点火系统IGBT
IGBT

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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RGPZ10BM40FH规格书详情

描述 Description

RGPZ10BM40FH是兼具低Vce(sat)、高雪崩耐性,适用于车载点火用途的高可靠性IGBT产品。

特性 Features

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage
• High Self-Clamped Inductive Switching Energy
• Built in Gate-Emitter Protection Diode
• Qualified to AEC-Q101
• Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant

简介

RGPZ10BM40FH属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGPZ10BM40FH晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RGPZ10BM40FH

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-252

  • 包装数量

    :2500

  • 最小独立包装数量

    :2500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :P: For ignition

  • VCES [V]

    :430

  • IC[A]

    :20

  • EAS(25°C) [mJ]

    :250

  • EAS(150°C) [mJ]

    :150

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.6

  • Pd [W]

    :107

  • BVCES (Min.)[V]

    :400

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :6.6x10 (t=2.2)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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