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RGPR20NS43HR中文资料430V 20A, LPDS, 车载用点火系统IGBT数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGPR20NS43HR

参数属性

RGPR20NS43HR 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:430V 20A IGNITION IGBT

功能描述

430V 20A, LPDS, 车载用点火系统IGBT
430V 20A IGNITION IGBT

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-30 21:13:00

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RGPR20NS43HR规格书详情

描述 Description

RGPR20NS43是适合点火线圈驱动电路及电磁阀驱动电路的低VCE(sat)的Ignition IGBT。为车载用高可靠性产品。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• High Self-Clamped Inductive Switching Energy
• Built in Gate-Emitter Protection Diode
• Built in Gate-Emitter Resistance
• Qualified to AEC-Q101
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

简介

RGPR20NS43HR属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的RGPR20NS43HR晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RGPR20NS43HR

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :LPDS

  • 包装数量

    :1000

  • 最小独立包装数量

    :1000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :P: For ignition

  • VCES [V]

    :430

  • IC[A]

    :20

  • EAS(25°C) [mJ]

    :250

  • EAS(150°C) [mJ]

    :150

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.6

  • Pd [W]

    :107

  • BVCES (Min.)[V]

    :430

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :10.1x13.1 (t=4.7)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

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