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RGPR30NS40HR数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

RGPR30NS40HR

参数属性

RGPR30NS40HR 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:400V 30A IGNITION IGBT

功能描述

400V 30A, LPDS, 车载用点火系统IGBT

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:43:00

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RGPR30NS40HR规格书详情

描述 Description

RGPR30NS40是适合点火线圈驱动电路及电磁阀驱动电路的低VCE(sat)的Ignition IGBT。为车载用高可靠性产品。

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• High Self-Clamped Inductive Switching Energy
• Built in Gate-Emitter Protection Diode
• Built in Gate-Emitter Resistance
• Qualified to AEC-Q101
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :RGPR30NS40HR

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :LPDS

  • 包装数量

    :1000

  • 最小独立包装数量

    :1000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :P: For ignition

  • VCES [V]

    :400

  • IC[A]

    :30

  • EAS(25°C) [mJ]

    :300

  • EAS(150°C) [mJ]

    :180

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.6

  • Pd [W]

    :125

  • BVCES (Min.)[V]

    :400

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :10.1x13.1 (t=4.7)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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