RGPR30NS40HRTL_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-罗姆

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原厂料号:RGPR30NS40HRTL品牌:Rohm Semiconductor

资料说明:400V 30A IGNITION IGBT

RGPR30NS40HRTL是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商ROHM/罗姆生产封装TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB的RGPR30NS40HRTL晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    rgpr30ns40hrtl

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    ROHM【罗姆】详情

  • 厂商全称:

    Rohm Semiconductor

  • 中文名称:

    罗姆半导体集团

  • 资料说明:

    400V 30A IGNITION IGBT

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    RGPR30NS40HRTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.0V @ 5V,10A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    500ns/4µs

  • 测试条件:

    300V,8A,100 欧姆,5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    LPDS

  • 描述:

    400V 30A IGNITION IGBT

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