STGW80H65DFB_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-意法半导体

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1+	¥60.96000

厂家型号：
STGW80H65DFB
制造商：
STMICROELECTRONICS/意法半导体
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-247-3
包装：
管件
安装类型：
通孔
更新时间：
2024-5-24 11:24:00

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原厂料号：STGW80H65DFB品牌：STMicroelectronics

资料说明：IGBT 650V 120A 469W TO-247

STGW80H65DFB是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装TO-247-3的STGW80H65DFB晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
stgw80h65dfb
规格书：
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企业简称：
STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情
厂商全称：
STMicroelectronics
中文名称：
意法半导体（ST）集团
资料说明：
IGBT 650V 120A 469W TO-247

产品属性

类型
描述
产品编号：
STGW80H65DFB
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟槽型场截止
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，80A
开关能量：
2.1mJ（开），1.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
84ns/280ns
测试条件：
400V，80A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247
描述：
IGBT 650V 120A 469W TO-247

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STGW80H65DFB_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-意法半导体

STGW80H65DFB

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