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BFS481	文件：563.96 Kbytes Page：6 Pages	丝印：RFs；Package：SOT-363；Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 文件：563.96 Kbytes 页数：6 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
RFS30TZ6S	文件：1.89274 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Fast Recovery Diode ●Features Ultra fast recovery / Ultra soft recovery type Ultra low switching loss High current overload capacity 文件：1.89274 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFS30TZ6SGC13	文件：1.89274 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Fast Recovery Diode ●Features Ultra fast recovery / Ultra soft recovery type Ultra low switching loss High current overload capacity 文件：1.89274 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFS60TZ6S	文件：1.88614 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Fast Recovery Diode ●Features Ultra fast recovery / Ultra soft recovery type Ultra low switching loss High current overload capacity 文件：1.88614 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFS60TZ6SGC13	文件：1.88614 Mbytes Page：10 Pages	Ultra Fast Recovery Diode ●Features Ultra fast recovery / Ultra soft recovery type Ultra low switching loss High current overload capacity 文件：1.88614 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RFSA2013	文件：2.27956 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGE CONTROLLED ATTENUATOR Features  Patented Circuit Architecture  Broadband 50MHz to 6000MHz Frequency Range  30dB Attenuation Range  +50dBm IIP3 Typical  +80dBm IIP2 Typical  High 1dB Compression Point >+30dBm  Low Supply Current 1mA Typical  5V Power Supply  Linear in dB Control Characteristic  In 文件：2.27956 Mbytes 页数：17 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RFSA2013PCK-410	文件：2.27956 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGE CONTROLLED ATTENUATOR Features  Patented Circuit Architecture  Broadband 50MHz to 6000MHz Frequency Range  30dB Attenuation Range  +50dBm IIP3 Typical  +80dBm IIP2 Typical  High 1dB Compression Point >+30dBm  Low Supply Current 1mA Typical  5V Power Supply  Linear in dB Control Characteristic  In 文件：2.27956 Mbytes 页数：17 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RFSA2013SQ	文件：2.27956 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGE CONTROLLED ATTENUATOR Features  Patented Circuit Architecture  Broadband 50MHz to 6000MHz Frequency Range  30dB Attenuation Range  +50dBm IIP3 Typical  +80dBm IIP2 Typical  High 1dB Compression Point >+30dBm  Low Supply Current 1mA Typical  5V Power Supply  Linear in dB Control Characteristic  In 文件：2.27956 Mbytes 页数：17 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RFSA2013SR	文件：2.27956 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGE CONTROLLED ATTENUATOR Features  Patented Circuit Architecture  Broadband 50MHz to 6000MHz Frequency Range  30dB Attenuation Range  +50dBm IIP3 Typical  +80dBm IIP2 Typical  High 1dB Compression Point >+30dBm  Low Supply Current 1mA Typical  5V Power Supply  Linear in dB Control Characteristic  In 文件：2.27956 Mbytes 页数：17 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RFSA2013TR7	文件：2.27956 Mbytes Page：17 Pages	VOLTAGE CONTROLLED ATTENUATOR Features  Patented Circuit Architecture  Broadband 50MHz to 6000MHz Frequency Range  30dB Attenuation Range  +50dBm IIP3 Typical  +80dBm IIP2 Typical  High 1dB Compression Point >+30dBm  Low Supply Current 1mA Typical  5V Power Supply  Linear in dB Control Characteristic  In 文件：2.27956 Mbytes 页数：17 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO

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技术参数

阻值：
100Ω
精度：
±5%
功率：
1W
温度系数：
±350ppm/℃
最大工作电压：
350V

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市鹏和科技有限公司	RFSA2013	RFMD	24+	NA	5000	全现原装公司现货	询价
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