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8N18	文件：49.53 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP8N18	文件：295.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=180V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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SEFM8N18	文件：808.57 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSTRANSISTORS HIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS Theseproductsarediffusedmulti-cellsilicongate N-ChannelenhancementmodePower-Mosfield effecttransistors.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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更多RFP8N18L功率三极管供应商更新时间2024-9-22 20:00:00

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