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RFM12N18	文件：35.64 Kbytes Page：4 Pages	12A, 180V and 200V, 0.250 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate driv 文件：35.64 Kbytes 页数：4 Pages	Intersil	Intersil
RFM12N20	文件：35.64 Kbytes Page：4 Pages	12A, 180V and 200V, 0.250 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate driv 文件：35.64 Kbytes 页数：4 Pages	Intersil	Intersil
RFM12N20	文件：73.95 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistors 文件：73.95 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
RFM12N35	文件：31.37 Kbytes Page：4 Pages	12A, 350V and 400V, 0.500 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive 文件：31.37 Kbytes 页数：4 Pages	Intersil	Intersil
RFM12N40	文件：31.37 Kbytes Page：4 Pages	12A, 350V and 400V, 0.500 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive 文件：31.37 Kbytes 页数：4 Pages	Intersil	Intersil
RFM12U7X	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RFM12B	文件：418.25 Kbytes Page：11 Pages	UNIVERSAL ISM BAND FSK TRANSCEIVER MODULE 文件：418.25 Kbytes 页数：11 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RFM12B	文件：1.53637 Mbytes Page：41 Pages	Universal ISM Band FSK Transceiver 文件：1.53637 Mbytes 页数：41 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RFM12B	文件：1.53637 Mbytes Page：41 Pages	Universal ISM Band FSK Transceiver 文件：1.53637 Mbytes 页数：41 Pages	HOPE 华普微	HOPE
RFM12B-433D	文件：418.25 Kbytes Page：11 Pages	UNIVERSAL ISM BAND FSK TRANSCEIVER MODULE 文件：418.25 Kbytes 页数：11 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
80V
Maximum Continuous Drain Current：
12A
Material：
Si
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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