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RFD3N08LSM	文件：69.22 Kbytes Page：8 Pages	3A, 80V, 0.800 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs TheRFD3N08LandRFD3N08LSMareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplished	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CDA3N08-G	文件：126.6 Kbytes Page：2 Pages	SteeringDiodeArrays-ESDSuppressors Features •(16kV)IEC61000-4-2capable •FastReverseRecoveryTime •FastTurnonTime •LowCapacitance •SMDPackages Applications •SignalTermination •SignalConditioning •ESDSuppression •TransientSuppression	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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MTD3N08LI	文件：360.46 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
RFD3N08
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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