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RF5110	文件：169.37 Kbytes Page：12 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER Product Description The RF5110 is a high-power, high-efficiency power amplifier module offering high performance in GSM OR GPRS applications. The device is manufactured on an advanced GaAs HBT process, and has been designed for use as the final RF amplifier in GSM hand-held digital cellular equ 文件：169.37 Kbytes 页数：12 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5110	文件：278.59 Kbytes Page：14 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER 文件：278.59 Kbytes 页数：14 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5110	文件：300 bytes Page：1 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER	Qorvo 威讯联合	Qorvo
RF5110G	文件：233.55 Kbytes Page：18 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER Product Description The RF5110G is a high-power, high-efficiency power amplifier module offering high performance in GSM OR GPRS applications. The device is manufactured on an advanced GaAs HBT process, and has been designed for use as the final RF amplifier in GSM hand-held digital cellular eq 文件：233.55 Kbytes 页数：18 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5110GPCBA-410	文件：233.55 Kbytes Page：18 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER Product Description The RF5110G is a high-power, high-efficiency power amplifier module offering high performance in GSM OR GPRS applications. The device is manufactured on an advanced GaAs HBT process, and has been designed for use as the final RF amplifier in GSM hand-held digital cellular eq 文件：233.55 Kbytes 页数：18 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5110PCBA	文件：169.37 Kbytes Page：12 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER Product Description The RF5110 is a high-power, high-efficiency power amplifier module offering high performance in GSM OR GPRS applications. The device is manufactured on an advanced GaAs HBT process, and has been designed for use as the final RF amplifier in GSM hand-held digital cellular equ 文件：169.37 Kbytes 页数：12 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5110_1	文件：278.59 Kbytes Page：14 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER 文件：278.59 Kbytes 页数：14 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5110G	文件：831.74 Kbytes Page：22 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER 文件：831.74 Kbytes 页数：22 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD
RF5110G	文件：2.29673 Mbytes Page：16 Pages	3V General Purpose/GSM Power Amplifier 文件：2.29673 Mbytes 页数：16 Pages	QORVO 威讯联合	QORVO
RF5110G_07	文件：831.74 Kbytes Page：22 Pages	3V GSM POWER AMPLIFIER 文件：831.74 Kbytes 页数：22 Pages	RFMD 威讯联合	RFMD

技术参数

频率最大值(MHz)：
960
增益(dB)：
31.5
Pout(dBm)：
32
PAE(%)：
52
电压(V)：
3.5
封装类型：
QFN
封装(mm)：
3.0 x 3.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	RF5110	M/A-COM	24+	SMD	5000	M/A-COM专营品牌绝对进口原装假一赔十	询价
深圳诚思涵科技有限公司	RF5110	RFMD	18+	RFMD	85600	保证进口原装可开17%增值税发票	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	RF5110TR7X	RFMICRO	23+	DC0312	5500	现货,全新原装	询价
深圳市正迈科技有限公司	RF5110G	RFMD	23+	原厂原封□□□	20000	原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货	询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	RF5110TR7	RF	25+	标准封装	18000	原厂直接发货进口原装	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	RF5110G	RFMD	23+	QFN16	8000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	RF5110GTR7	Pb-free	24+	QFN	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	RF5110G	RFMD	1645+	?	7500	只做原装进口,假一罚十	询价
上海专毅电子科技有限公司	RF5110G	RFMD	17+	N/A	9800	只做全新进口原装,现货库存	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	RF5110G	RF	25+	QFN-16	5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价

更多RF5110供应商更新时间2025-10-12 14:32:00

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