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RF5110G

3V GSM POWER AMPLIFIER

ProductDescription TheRF5110Gisahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermoduleofferinghighperformanceinGSMORGPRSapplications.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGaAsHBTprocess,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinGSMhand-helddigitalcellulareq

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110G

3V GSM POWER AMPLIFIER

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110G

3V General Purpose/GSM Power Amplifier

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110GPCBA-410

3V GSM POWER AMPLIFIER

ProductDescription TheRF5110Gisahigh-power,high-efficiencypoweramplifiermoduleofferinghighperformanceinGSMORGPRSapplications.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGaAsHBTprocess,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinGSMhand-helddigitalcellulareq

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110G_07

3V GSM POWER AMPLIFIER

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110G_15

GENERAL PURPOSE / GSM POWER AMPLIFIER

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110GPCBA-410

3V GSM POWER AMPLIFIER

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110GPCK-410

3V General Purpose/GSM Power Amplifier

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110GTR7

3V GSM POWER AMPLIFIER

RFMDRF Micro Devices

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

RF5110GTR7

3V General Purpose/GSM Power Amplifier

QORVOQorvo, Inc

威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司

详细参数

  • 型号:

    RF5110G

  • 制造商:

    RF Micro Devices Inc

  • 功能描述:

    IC GSM POWER AMP 3V 16-QFN

  • 制造商:

    RFMD

  • 功能描述:

    AMP RF 800-950MHZ 3V 16QFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RFMD
2025+
QFN16
32560
原装优势绝对有货
询价
RFMD
23+
QFN16
8000
原装正品,假一罚十
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MINI
24+
SMD
3600
MINI专营品牌全新原装正品假一赔十
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RFMD
0550+
DFN-16
6000
原装正品现货
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QORVO
19+
标准封装
7500
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RFMD
2023+
-
4550
全新原装正品
询价
QORVO
QFN
2500
原装现货
询价
RFMD
24+
-
22312
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
RFMD
23+
原厂原封□□□
20000
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货
询价
RFMD
2017+
SMD
1585
只做原装正品假一赔十!
询价
更多RF5110G供应商 更新时间2025-7-23 16:06:00