| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features •LowPowerconsumption(LowForwardvoltage)andhighspeed(Lowcapacitance). •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. •UltrasmallPackage(0.6mm×0.3mmSizeleadlesstype) | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
500mALowVin,VeryLowRonLoadSwitch | SEMTECH Semtech Corporation | SEMTECH | ||
500mALowVin,VeryLowRonLoadSwitch | SEMTECH Semtech Corporation | SEMTECH | ||
500mALowVin,VeryLowRonLoadSwitch | SEMTECH Semtech Corporation | SEMTECH | ||
SiliconEpitaxialPlanarSchottkyBarrierDiode SiliconEpitaxialPlanarSchottkyBarrierDiode | SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司 | SEMTECH_ELEC | ||
RFIDSystemswithISO/IEC18000-3(15693)Compliance | OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社 | OMRON | ||
TheSE-704isamicroprocessor-basedground-faultrelay | Littelfuselittelfuse 力特力特公司 | Littelfuse | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFETs | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFETs | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. 125.0WattsSingleEnded PackageStyleAM HIGHEFFICI | Polyfet Polyfet RF Devices | Polyfet |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
45V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SA963,2SB524,2SB719,2SB744,
- 最大耗散功率：
10W
- 放大倍数：
- 图片代号：
A-83
- vtest：
45
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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全新原装正品现货,支持订货 |
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