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RN1306	文件：462.19 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors. ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN2301toRN2306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1306	文件：251.31 Kbytes Page：7 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1306TE85LF	文件：462.19 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit andDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors. ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN2301toRN2306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RN1306,LF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN1306,LXHF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-70，SOT-323；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：AUTO AEC-Q SINGLE NPN , R1=4.7KO	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RSZ-1306	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-1306HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SCH1306	文件：35.4 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SDR1306	文件：139.77 Kbytes Page：2 Pages	3AMP,400-800Volts70nsec,UltraFastRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR1306	文件：184.81 Kbytes Page：2 Pages	3AMP200-800VOLTSULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
RN1306
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 INCORRECT MOUSER P/N 4.7K x 47Kohms
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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更多RN1306供应商更新时间2025-7-15 18:19:00

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