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RA33H1516M1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA33H1516M1数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RA33H1516M1

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FET Modules RA33H1516M1

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RA33H1516M1

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :12.5V

  • Frequency (Min - Max)

    :154~162MHz

  • Output Power

    :33W

  • Package

    :H57

  • Input Power Typ

    :10mW

  • Drain Efficiency (Min)

    :50%

  • Feature

    :-

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
JST
25+
N/A
200000
专注连接器,连接一切可能
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MITSUBISHI/三菱
25+
H2S
880000
明嘉莱只做原装正品现货
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25+23+
H57
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23+
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/
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23+
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MITSUBISHI/三菱
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
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MITSUBISHI/三菱
23+
TO-59
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连接器
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24+
13580
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