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R8008ANJFRG	文件：1.60635 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R8008ANJ；Package：TO-263S；Nch 800V 8A Power MOSFET 文件：1.60635 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002ANX	文件：1.19971 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Structure Silicon N-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) High ESD. Application Switching 文件：1.19971 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8008ANX	文件：1.17741 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. 6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant Application Switching Power Supply 文件：1.17741 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8008ANX	文件：296.19 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 8A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.03Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations 文件：296.19 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R800CHX	文件：379.22 Kbytes Page：4 Pages	DISTRIBUTED GATE THYRISTORS [Westcode] Distributed Gate Thyristors ~ All types 文件：379.22 Kbytes 页数：4 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
R8000H	文件：134.86 Kbytes Page：4 Pages	丝印：RG；Package：R8000H；Fast Recovery High Voltage Diodes 文件：134.86 Kbytes 页数：4 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
R8001CND	文件：2.92619 Mbytes Page：14 Pages	丝印：TL；Package：TO-252；Nch 800V 1A Power MOSFET 文件：2.92619 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002ANJ	文件：298.97 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：298.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8002ANJ	文件：986.15 Kbytes Page：14 Pages	Nch 800V 2A Power MOSFET 文件：986.15 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002ANX	文件：296.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
Drain Current ID[A]：
3
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1.5
Total gate charge Qg[nC]：
11.5
Power Dissipation (PD)[W]：
48
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
230
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多R800供应商更新时间2025-8-27 15:43:00

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