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R8008ANJFRG	文件：1.60635 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R8008ANJ；Package：TO-263S；Nch 800V 8A Power MOSFET 文件：1.60635 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R800	文件：300 bytes Page：1 Pages	R系列 R系列真空三相交流接触器用于接通与分断电路，尤其适用于控制三相交流电动机的频繁起动和停止，可与各种保护装置组成磁力起动器。\n\n • 交直流通用\n• 分断大电流负载\n;	GL 康宁	GL
R8001CND	文件：299.28 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 8.7Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.28 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8002ANX	文件：1.19971 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Structure Silicon N-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) High ESD. Application Switching 文件：1.19971 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002CND	文件：299.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.3Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8002KND3	文件：299.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8002KNX	文件：319.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：319.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8003KND3	文件：300.01 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：300.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8006KND3	文件：300.25 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：300.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8006KNX	文件：320.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.9Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：320.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
Drain Current ID[A]：
3
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
1.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
1.5
Total gate charge Qg[nC]：
11.5
Power Dissipation (PD)[W]：
48
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
230
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多R800供应商更新时间2025-12-22 16:01:00

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