| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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R8002ANX | 10V Drive Nch MOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. Application Switching | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | |
R8002ANX | isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
R8002ANX | Power MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | |
Nch800V1APowerMOSFET | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
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FASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS | NIUHANGDongguan City Niuhang Electronics Co.LTD 纽航电子广东纽航电子科技有限公司 | NIUHANG | ||
AcompletetrainingsysteminthefieldofIndustrialProcessControl | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | ETC | ||
ZenerBarrier
| PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司 | PF | ||
3WaudiopoweramplifierIC | FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司 | FUMAN | ||
3WMonowithShutdownModeAudioPowerAmplifier | SHOUDINGShouding Semiconductor 首鼎深圳市首鼎半导体技术研发有限公司 | SHOUDING |
详细参数
- 型号：
R8002ANX
- 功能描述：
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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Rohm Semiconductor |
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