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|---|---|---|---|---|
R8002ANX | 10V Drive Nch MOSFET Structure Silicon N-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Low input capacitance. 3) High ESD. Application Switching 文件：1.19971 Mbytes 页数：7 Pages | ROHM 罗姆 | ROHM | |
R8002ANX | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.06 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
R8002ANX | Power MOSFET 文件：1.29114 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
R8002ANX | 10V Drive Nch MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET; | ROHM 罗姆 | ROHM |
技术参数
- Status：
新设计非推荐
- 封装：
TO-220FM
- 包装数量：
500
- 最小独立包装数量：
500
- 包装形态：
Bulk
- RoHS：
Yes
- Grade：
Standard
- Package Code：
TO-220FM
- Package Size[mm]：
15.1x10.1 (t=4.6)
- Applications：
Power Supply
- Number of terminal：
3
- Polarity：
Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
- Drain Current ID[A]：
2.0
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
3.3
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3.3
- Total gate charge Qg[nC]：
12.7
- Power Dissipation (PD)[W]：
35.0
- Drive Voltage[V]：
10.0
- Mounting Style：
Leaded type
- Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO-220FP-3 |
32078 |
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ROHM/罗姆 |
25+ |
SMD |
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ROHM |
2017+ |
TO-220 |
20000 |
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ROHM |
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Rohm |
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TO-220FP-3 |
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ROHM/罗姆 |
2022+ |
T0220 |
3155 |
原厂原装,假一罚十 |
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Rohm Semiconductor |
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TO2202 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ROHM |
21+ |
NB SOIC-16 |
100 |
全新原装鄙视假货 |
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更新时间2025-10-13 10:46:00
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