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R8002KND3	文件：2.24323 Mbytes Page：14 Pages	丝印：R8002KND3；Package：TO-252；Nch 800V 1.6A Power MOSFET 文件：2.24323 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8002KND3	文件：299.75 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 1.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：299.75 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8002KND3	文件：300 bytes Page：1 Pages	高速开关规格 Nch 800V 1.6A 功率MOSFET R8xxxKNx系列是重视高效性，以高速开关性能为特点的Super Junction MOSFET产品。该系列产品可在追求高速开关的应用中实现优良性能。高速开关性能有助于实现PFC和LLC等电路的高效率化。 • Low on-resistance\n• Fast switching\n• Parallel use is easy\n• Pb-free plating ; RoHS compliant;	ROHM 罗姆	ROHM
R800C	文件：0 bytes Page：0 Pages	SIMcom LCC	SIMCOM 芯讯通上传：深圳市展煜电子有限公司	SIMCOM
R8010	文件：0 bytes Page：0 Pages	SWIRE SOP8	SWIRE 太古半导体上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	SWIRE

技术参数

封装：
TO-252
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
Drain Current ID[A]：
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3.5
Total gate charge Qg[nC]：
7.5
Power Dissipation (PD)[W]：
30
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
180
Mounting Style：
Surface mount
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
6.6x10.0 (t=2.4)

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更多R8002KND3供应商更新时间2025-10-8 12:00:00

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