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R8010ANX	文件：885.86 Kbytes Page：14 Pages	Nch 800V 10A Power MOSFET 文件：885.86 Kbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R8010ANX	文件：296.26 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R8010ANX	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RCH8010	文件：428.55 Kbytes Page：4 Pages	PIN Power Inductor 文件：428.55 Kbytes 页数：4 Pages	SUMIDA 胜美达	SUMIDA
RT8010	文件：397.93 Kbytes Page：15 Pages	1.5MHz, 1A, High Efficiency PWM Step-Down DC/DC Converter General Description The RT8010/A is a high-efficiency Pulse-Width-Modulated (PWM) step-down DC-DC converter. Capable of delivering 1A output current over a wide input voltage range from 2.5V to 5.5V, the RT8010/A is ideally suited for portable electronic devices that are powered from 1-cell Li-io 文件：397.93 Kbytes 页数：15 Pages	RICHTEK 立锜科技	RICHTEK
RT8010A	文件：397.93 Kbytes Page：15 Pages	1.5MHz, 1A, High Efficiency PWM Step-Down DC/DC Converter General Description The RT8010/A is a high-efficiency Pulse-Width-Modulated (PWM) step-down DC-DC converter. Capable of delivering 1A output current over a wide input voltage range from 2.5V to 5.5V, the RT8010/A is ideally suited for portable electronic devices that are powered from 1-cell Li-io 文件：397.93 Kbytes 页数：15 Pages	RICHTEK 立锜科技	RICHTEK

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-220FM
包装数量：
500
最小独立包装数量：
500
包装形态：
Bulk
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-220FM
Package Size[mm]：
15.1x10.1 (t=4.6)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
800
Drain Current ID[A]：
10.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.43
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.43
Total gate charge Qg[nC]：
62.0
Power Dissipation (PD)[W]：
40.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	R8010ANX	ROHM/罗姆	2021+	TO-220FM	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
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