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R6011KNX	文件：2.45497 Mbytes Page：14 Pages	Nch 600V 11A Power MOSFET 文件：2.45497 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6011KNX	文件：296.84 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.84 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6011KNX	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 600V 11A 功率MOSFET R6011KNX是低导通电阻的高速开关速度的功率MOSFET。 • Low on-resistance.\n• Ultra fast switching speed.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant.;	ROHM 罗姆	ROHM
RA-6011	文件：309.17 Kbytes Page：2 Pages	Disconnectable Crimp style connectors 文件：309.17 Kbytes 页数：2 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RJK6011DJA	文件：193.89 Kbytes Page：7 Pages	600V - 0.1A - MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 35 Ω typ. (at ID = 0.05 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：193.89 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
RJK6011DJE	文件：97.55 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 35 Ω typ. (at ID = 0.05 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low drive current • High density mounting 文件：97.55 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

封装：
TO-220FM
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220FM
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
11
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.34
Total gate charge Qg[nC]：
22
Power Dissipation (PD)[W]：
53
Drive Voltage[V]：
10
Trr (Typ.)[ns]：
355
Mounting Style：
Leaded type
Bare Die Part Number：
Available
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x15.1 (t=4.8)

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