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R6008FNJ	文件：350.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.95Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：350.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
R6008FNJ	文件：1.32067 Mbytes Page：6 Pages	丝印：TL；Package：LPTS；10V Drive Nch MOSFET 文件：1.32067 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
R6008FNJTL	文件：1.03795 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：1.03795 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
R6008FNJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	10V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •10V驱动型 Nch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Package Size[mm]：
10.1x13.1 (t=4.5)
Applications：
Motor
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
600
Drain Current ID[A]：
8.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.73
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.73
Total gate charge Qg[nC]：
20.0
Power Dissipation (PD)[W]：
50.0
Drive Voltage[V]：
10.0
Trr (Typ.)[ns]：
67
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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